3次元量子補正モンテカルロ法による反転層電子移動度の解析
3次元量子補正モンテカルロ法による反転層電子移動度の解析
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利用三维量子校正蒙特卡罗方法分析反型层电子迁移率
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
藤井 一也
中科院分区：
文献类型：
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作者：
鄭聡;石川亮;本城和彦;藤井 一也
