Dependence of Depth Resolution on Primary Energy of Low-Energy Ar^+ Ions (100-1000 eV) in AES Sputter Depth Profiling of GaAs/AlAs Supterlattice
Dependence of Depth Resolution on Primary Energy of Low-Energy Ar^+ Ions (100-1000 eV) in AES Sputter Depth Profiling of GaAs/AlAs Supterlattice
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GaAs/AlAs 超晶格 AES 溅射深度分析中深度分辨率对低能 Ar^ 离子 (100-1000 eV) 一次能量的依赖性
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y.Takai
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T.Bungo;T.Nagatomi;Y.Takai
