Fabrication and characterization of gated parallel wire structures having a metamorphic InGaAs/InAlAs heterojunction with high In content
Fabrication and characterization of gated parallel wire structures having a metamorphic InGaAs/InAlAs heterojunction with high In content
复制标题
具有高 In 含量的变质 InGaAs/InAlAs 异质结的门控平行线结构的制造和表征
DOI：
--
复制
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
S. Yamada
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T. Ohori;M. Akabori;S. Hidaka; S. Yamada
