Investigation of Deep Levels in Silicon Carbide using Ion-Induced Charge Transient Spectroscopy
Investigation of Deep Levels in Silicon Carbide using Ion-Induced Charge Transient Spectroscopy
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使用离子诱导电荷瞬态光谱研究碳化硅中的深层能级
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.OHSHIMA,
中科院分区：
文献类型：
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作者：
W.KADA;S. ONODA;N.IWAMOTO;N.HOSHINO;H.TSUCHIDA;T.MAKINO;Y.KANBAYASHI;O.HANAIZUMI;M. KOKA,T. KAMIYA;T.OHSHIMA,
