Suppression of lag phenomena and current collapse in field-plate AlGaN/GaN HEMTs with high acceptor density in a buffer layer

Suppression of lag phenomena and current collapse in field-plate AlGaN/GaN HEMTs with high acceptor density in a buffer layer
复制标题

缓冲层中具有高受主密度的场板 AlGaN/GaN HEMT 中滞后现象和电流崩塌的抑制

DOI:
--
复制
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
通讯作者:
N. Noda and K. Horio
N. Noda and K. Horio
中科院分区:
--
文献类型:
--
作者:
Y. Saito;R. Tsurumaki;N. Noda and K. Horio

文献摘要

相似文献