P-type α-(Ir,Ga)2O3 with a band gap of more than 4 eV
P-type α-(Ir,Ga)2O3 with a band gap of more than 4 eV
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带隙大于4 eV的P型α-(Ir,Ga)2O3
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Shizuo Fujita
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kentaro Kaneko;Yasuhisa Masuda;Shin-ichi Kan;Isao Takahashi;Yuji Kato;Ryohei Kanno;Masahiro Sugimoto;Takashi Shinohe;and Shizuo Fujita
