Atomically Controlled Epitaxy of Ferromagnetic Silicide on SiGe for SiGe-Channel Schottky Source/Drain Spin Transistor
Atomically Controlled Epitaxy of Ferromagnetic Silicide on SiGe for SiGe-Channel Schottky Source/Drain Spin Transistor
复制标题
用于 SiGe 通道肖特基源极/漏极自旋晶体管的 SiGe 上铁磁硅化物的原子控制外延
DOI：
--
复制
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
M. Miyao
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T. Sadoh;K. Ueda;Y. Ando;Y. Kishi;K. Hamaya;Y. Maeda;M. Miyao
