Formation of Quasi-Free-standing Epitaxial Graphene on SiC(0001) by Microwave Annealing
Formation of Quasi-Free-standing Epitaxial Graphene on SiC(0001) by Microwave Annealing
复制标题
微波退火在 SiC(0001) 上形成准自支撑外延石墨烯
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Maki Suemitsu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kwan-Soo Kim;Goon-Ho Park;Hirokazu Fukidome;Maki Suemitsu
