High rate and Low temperature Silicon epitaxy via unique cluster enhanced mesoplasma CVD
High rate and Low temperature Silicon epitaxy via unique cluster enhanced mesoplasma CVD
复制标题
通过独特的簇增强中间质 CVD 进行高速率和低温硅外延
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and T. Yoshida
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M.Kambara;J. M. A. Diaz;and T. Yoshida
