阶梯AlGaN外延新型Al_(0.25)Ga_(0.75)N/GaN HEMTs器件实验研究
阶梯AlGaN外延新型Al_(0.25)Ga_(0.75)N/GaN HEMTs器件实验研究
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DOI：
10.7498/aps.64.237302
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
杨银堂
中科院分区：
文献类型：
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作者：
袁嵩;段宝兴;袁小宁;马建冲;李春来;曹震;郭海军;杨银堂
