High mobility SiGe heterostructures fabricated by low-energy plasma-enhanced chemical vapor deposition
High mobility SiGe heterostructures fabricated by low-energy plasma-enhanced chemical vapor deposition
复制标题
低能等离子体增强化学气相沉积制备高迁移率 SiGe 异质结构
DOI：
10.1016/j.mee.2004.07.029
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发表时间：
2004
影响因子：
2.3
通讯作者：
M. Bollani
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Känel;D. Chrastina;B. Rössner;G. Isella;J. Hague;M. Bollani
