High electron mobility in AlN:Si by point and extended defect management
High electron mobility in AlN:Si by point and extended defect management
复制标题
AlN:Si 中的高电子迁移率点和扩展缺陷管理
DOI：
10.1063/5.0124589
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发表时间：
2022
影响因子：
3.2
通讯作者：
Sitar, Zlatko
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Bagheri, Pegah;Quiñones-Garcia, Cristyan;Khachariya, Dolar;Rathkanthiwar, Shashwat;Reddy, Pramod;Kirste, Ronny;Mita, Seiji;Tweedie, James;Collazo, Ramón;Sitar, Zlatko
