RFスパッタリング法によるSiC薄膜の作製と水素透過挙動

RFスパッタリング法によるSiC薄膜の作製と水素透過挙動
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射频溅射法制备SiC薄膜及氢渗透行为

DOI:
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发表时间:
2010
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
寺井隆幸
寺井隆幸
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
近田拓未;鈴木晶大;寺井隆幸

文献摘要

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