Reduction of bias-induced threshold voltage shift in pentacene field effect transistors by interface modification and molecular ordering.
Reduction of bias-induced threshold voltage shift in pentacene field effect transistors by interface modification and molecular ordering.
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通过界面修饰和分子排序减少并五苯场效应晶体管中偏置引起的阈值电压偏移。
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A Toriumi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
C.B.Park;T.Nishimura;T.Yokoyama;K.Kita;A Toriumi
