K.Fukutani,M.Kanbe,W.Futako,B.Kaplan,T.Kamiya,C.M.Fortmann,I.Shimizu: "Band gap tuning of a-Si:H from 1.55eV to 2.10eV by intentionally promoting structural relaxation" Non-Cryst.Solids. 227-230. 63-67 (1998)
K.Fukutani,M.Kanbe,W.Futako,B.Kaplan,T.Kamiya,C.M.Fortmann,I.Shimizu: "Band gap tuning of a-Si:H from 1.55eV to 2.10eV by intentionally promoting structural relaxation" Non-Cryst.Solids. 227-230. 63-67 (1998)
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K.Fukutani、M.Kanbe、W.Futako、B.Kaplan、T.Kamiya、C.M.Fortmann、I.Shimizu：“通过有意促进结构弛豫将 a-Si:H 的带隙从 1.55eV 调整到 2.10eV”
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