Research on structure and mid-infrared photoluminescence of Ga3+/Er3+ co-doped As-S glasses
Research on structure and mid-infrared photoluminescence of Ga3+/Er3+ co-doped As-S glasses
复制标题
Ga3/Er3共掺As-S玻璃的结构及中红外光致发光研究
DOI：
10.1016/j.jnoncrysol.2017.07.002
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发表时间：
2017-09
影响因子：
3.5
通讯作者：
Dai Shixun
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Huang Yan;Liu Zijun;Chen Hua;Bian Junyi;Zhang Xianghua;Wang Xunsi;Dai Shixun
在本研究中，通过添加 Ga 作为 Er3 + 离子的主体而制备了一系列 Ga-As-S 玻璃，并对其进行了表征。通过拉曼散射、X射线衍射和荧光光谱研究了Ga的引入对结构变化和Er3+中红外发射强度的影响。结果表明，将 Ga 掺入 As2S3 玻璃中会引起 [AsS3/2] 金字塔单元的解离，从而形成四面体 [GaS4/2]。通过调节 Ga 含量，该主体可以掺杂高达 2 mol% Er3 +，而不会产生结晶和浓度猝灭效应。此外，该体系具有很好的热稳定性（ΔT > 230 °C）和以4700 nm为中心的强宽带中红外发射，表明该体系具有用作中红外光纤材料的潜力。
In this study, a series of Ga-As-S glasses tailored by adding Ga as the host for Er3 +ions were prepared and characterized. The effects of the introduction of Ga on the structure change and the Er3 +middle infrared emission intensity have been studied by Raman scattering, X-ray diffraction and fluorescence spectra. The results show the incorporating of Ga into the As2S3glass induced the dissociation of [AsS3/2] pyramids units in behalf of forming tetrahedral [GaS4/2]. By adjusting the Ga content, this host can be doped up to 2 mol% Er3 +without crystallization and concentration quenching effect. Besides, this system has very good thermal stability (ΔT > 230 °C) and strong broadband mid-infrared emission centered at 4700 nm, suggests that this system has the potential to be used as mid-infrared fiber material.
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影响因子：
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作者：
Zhuoqi Tang;D. Furniss;M. Fay;H. Sakr;L. Sójka;N. Neate;N. Weston;S. Sujecki;T. Benson;A. Seddon
通讯作者：
Zhuoqi Tang;D. Furniss;M. Fay;H. Sakr;L. Sójka;N. Neate;N. Weston;S. Sujecki;T. Benson;A. Seddon
影响因子：
3.5
作者：
E. Bychkov;M. Miloshova;D. Price;C. Benmore;A. Lorriaux
通讯作者：
E. Bychkov;M. Miloshova;D. Price;C. Benmore;A. Lorriaux
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作者：
S. Solin;G. Papatheodorou
通讯作者：
S. Solin;G. Papatheodorou
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S. Tsuchihashi;Y. Kawamoto
通讯作者：
S. Tsuchihashi;Y. Kawamoto
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A. Mori;Y. Ohishi;T. Kanamori;S. Sudo
通讯作者：
A. Mori;Y. Ohishi;T. Kanamori;S. Sudo