UHVスパッタエピタキシー法によるGaN層の成長メカニズム
UHVスパッタエピタキシー法によるGaN層の成長メカニズム
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特高压溅射外延法生长GaN层的机理
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
六倉 信喜
中科院分区：
文献类型：
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作者：
齋藤 元希;吉田 圭佑;篠田 宏之;六倉 信喜
