Impact of InGaAs Nitridation using ECR plasma on Interface Properties of ALD-Al2O3/InGaAs MOS Capacitors
Impact of InGaAs Nitridation using ECR plasma on Interface Properties of ALD-Al2O3/InGaAs MOS Capacitors
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使用 ECR 等离子体进行 InGaAs 氮化对 ALD-Al2O3/InGaAs MOS 电容器界面性能的影响
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Takuya Hoshii
中科院分区：
文献类型：
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作者：
市田裕之;米山勝美;阿部知子;Takuya Hoshii;Takuya Hoshii;Takuya Hoshii
