3d遷移金属添加窒化物半導体のイオン化ポテンシャル
3d遷移金属添加窒化物半導体のイオン化ポテンシャル
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3d过渡金属掺杂氮化物半导体的电离势
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
園田早紀
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Rie Togashi;Hisashi Murakami;Yoshinao Kumagai;Akinori Koukitu;園田早紀
