High quality 6H-SiC (0001) homoepitaxial layers as substrate surface for growth of AlN epitaxial layers
High quality 6H-SiC (0001) homoepitaxial layers as substrate surface for growth of AlN epitaxial layers
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高质量 6H-SiC (0001) 同质外延层作为 AlN 外延层生长的衬底表面
DOI：
10.1002/pssc.200461615
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
E. Janzén
中科院分区：
文献类型：
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作者：
C. Hallin;A. Kakanakova;P. Persson;E. Janzén
高质量的6H-SiC（0001）同质外延层作为生长AlN外延层的衬底表面
High quality 6H-SiC (0001) homoepitaxial layers as substrate surface for growth of AlN epitaxial layers