Thermal annealing behaviour of Ni/Au on n-GaN Schottky contacts*
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DOI：
10.1088/0022-3727/35/20/326
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发表时间：
2002-10
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Yuanping Sun;X. Shen;J. Wang;D. Zhao;G. Feng;Y. Fu;S M Zhang;Z H Zhang;Z. Feng;Y X Bai;Hui Yang
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yuanping Sun;X. Shen;J. Wang;D. Zhao;G. Feng;Y. Fu;S M Zhang;Z H Zhang;Z. Feng;Y X Bai;Hui Yang
通过电流-电压 (I-V) 测量研究了不同退火条件下 n-GaN 上 Ni/Au 接触的肖特基行为。采用非线性拟合方法从 I-V 特性曲线中提取接触参数。实验结果表明，在N2气氛下600℃退火5 min后，可以获得势垒高度为0.86±0.02 eV、理想因子为1.19±0.02 eV的高质量肖特基接触。
The Schottky behaviour of Ni/Au contact on n-GaN was investigated under various annealing conditions by current–voltage (I–V) measurements. A non-linear fitting method was used to extract the contact parameters from the I–V characteristic curves. Experimental results indicate that high quality Schottky contact with a barrier height and ideality factor of 0.86±0.02 eV and 1.19±0.02 eV, respectively, can be obtained under 5 min annealing at 600°C in N2 ambience.