Improved Al/Si ohmic contacts to p-type 4H-SiC
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DOI：
10.1016/s0921-5107(00)00600-0
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发表时间：
2001-03
影响因子：
3.6
通讯作者：
R. Kakanakov;L. Kassamakova;I. Kassamakov;K. Zekentes;N. Kuznetsov
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R. Kakanakov;L. Kassamakova;I. Kassamakov;K. Zekentes;N. Kuznetsov
