Analysis of Ion Energy Dependence of Depth Profile of GaN by In-situ Surface Analysis
Analysis of Ion Energy Dependence of Depth Profile of GaN by In-situ Surface Analysis
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通过原位表面分析分析 GaN 深度轮廓的离子能量依赖性
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Masaru Hori
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Masaki Hasagawa;Takayoshi Tsutsumi;Atsushi Tanide;Shohei Nakamura;Hiroki Kondo;Kenji Ishikawa;Masaru Hori
