Gadolinium trihydride—A new magnetoresistive semiconductor
Gadolinium trihydride—A new magnetoresistive semiconductor
复制标题
三氢化钆——新型磁阻半导体
DOI：
10.1209/epl/i2002-00658-6
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发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
1.8
通讯作者：
B. Hjorvarsson
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Miniotas;P. Nordblad;M. Andersson;B. Hjorvarsson
在外延gdh3 - δ薄膜中发现了较大的负磁阻和磁化异常。电阻率中的零场半导体样行为在磁场下完全被抑制。
Large negative magnetoresistance and magnetisation anomalies are found in epitaxial GdH3-delta films. The zero-field semiconductor-like behavior in the resistivity is completely suppressed at a mag ...