Reverse-Bias-Induced Virtual Gate Phenomenon in N-Polar GaN HEMTs
Reverse-Bias-Induced Virtual Gate Phenomenon in N-Polar GaN HEMTs
复制标题
N 极 GaN HEMT 中反向偏置引起的虚拟栅极现象
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and T. Matsuoka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Suemitsu;K. Prasertsuk;T. Tanikawa;T. Kimura;S. Kuboya;and T. Matsuoka
