Optical properties of Er-doped InAs quantum dots embedded in strain-relaxed barriers for an all-optical switch with a multilayer cavity structure
Optical properties of Er-doped InAs quantum dots embedded in strain-relaxed barriers for an all-optical switch with a multilayer cavity structure
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多层腔结构全光开关应变松弛势垒中嵌入 Er 掺杂 InAs 量子点的光学特性
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
dt al. T
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Ueyama;dt al. T
