Bi 原子細線をドーパント源とするSi 結晶中のBi δドーピング法：キャリア輸送特性評価
Bi 原子細線をドーパント源とするSi 結晶中のBi δドーピング法：キャリア輸送特性評価
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使用 Bi 原子线作为掺杂源的 Si 晶体中 Bi δ 掺杂方法：载流子传输特性的评估
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
日塔 光一
中科院分区：
文献类型：
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作者：
三木 一司，金澤 孝，村田 晃一;日塔 光一
