急速加熱液相エピタキシャル成長法により作製したSGOI構造のGe濃度のアニール温度依存性
急速加熱液相エピタキシャル成長法により作製したSGOI構造のGe濃度のアニール温度依存性
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快速加热液相外延生长法制备的SGOI结构中Ge浓度的退火温度依赖性
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
渡部平司
中科院分区：
文献类型：
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作者：
荻原伸平;鈴木雄一朗;吉本千秋;細井卓治;志村考功;渡部平司
