Diffusion lengths in p-type MOCVD GaAs
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DOI：
10.1016/0022-0248(81)90286-4
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发表时间：
1981-10
影响因子：
1.8
通讯作者：
D. Wight;P. E. Oliver;T. Prentice;V. Steward
中科院分区：
文献类型：
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作者：
D. Wight;P. E. Oliver;T. Prentice;V. Steward
