Raman scattering characterization for crystalline quality of doped n-type Mg2Si prepared by melt growth and plasma activated sintering techniques
Raman scattering characterization for crystalline quality of doped n-type Mg2Si prepared by melt growth and plasma activated sintering techniques
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熔体生长和等离子体激活烧结技术制备的掺杂 n 型 Mg2Si 晶体质量的拉曼散射表征
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y. Takanashi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
D. Mori;T. Iida;T. Nemoto;M. Ogi;M. Akasaka;K. Nishio;H. Taguchi;Y. Takanashi
