Y.Matsumoto,T.Hanajiri,T.Toyabe,T.Sugano: ""Advantages of the Asymmetric Tunnel Barrier for High Density Integration of Single Electron Devices"" Proc.of Int.Symp.on Formation,Physics snd Device Application of Ouantum Dot Structures. pp.144〜pp.144 (1996)
Y.Matsumoto,T.Hanajiri,T.Toyabe,T.Sugano: ""Advantages of the Asymmetric Tunnel Barrier for High Density Integration of Single Electron Devices"" Proc.of Int.Symp.on Formation,Physics snd Device Application of Ouantum Dot Structures. pp.144〜pp.144 (1996)
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Y.Matsumoto,T.Hanajiri,T.Toyabe,T.Sugano：““单电子器件高密度集成的非对称隧道势垒的优点””Proc.of Int.Symp.on Formation、Physics snd Device Application of Ouantum点结构。144～144页（1996）
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