Electrical Characterization of Retrograded Arsenic Body-Implanted FD-SOI MOSFETs
Electrical Characterization of Retrograded Arsenic Body-Implanted FD-SOI MOSFETs
复制标题
退化砷体注入 FD-SOI MOSFET 的电气特性
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S.Cristoloveanu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
C.Navarro;N.Rodriguez;F.Andrieu;A.Ohata;F.Gamiz;O.Faynot;S.Cristoloveanu
