Low phase noise, high switching speed digitally controlled ring oscillator in 0.18 um CMOS complementary metal oxide semiconductor
Low phase noise, high switching speed digitally controlled ring oscillator in 0.18 um CMOS complementary metal oxide semiconductor
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采用 0.18 um CMOS 互补金属氧化物半导体的低相位噪声、高开关速度数控环形振荡器
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K.Yoshida
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A.Tomar;S.Lingala;R.K.Pokharel;H.Kanaya;K.Yoshida
