Temperature Dependence of Transverse and Hall Conductivities of Silicon MOS Inversion Layers under Strong Magnetic Fields
Temperature Dependence of Transverse and Hall Conductivities of Silicon MOS Inversion Layers under Strong Magnetic Fields
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强磁场下硅 MOS 反型层横向电导率和霍尔电导率的温度依赖性
DOI：
10.1007/978-3-642-81595-9_36
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发表时间：
1981
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J. Wakabayashi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Kawaji;J. Wakabayashi
Si(100)表面的n沟道MOS反转层是一个典型的二维电子系统。当沿Si-SiO_2界面方向施加强磁场时，二维材料中的电子能级连续体包括一系列完全量子化的朗道能级[1]，在这样的系统中，在一个极端量子极限能级中，每个朗道能级的边界之间的电子态密度存在间隙规则。
An n-channel MOS inversiln layer on Si (100) surface is a typical two-dimensilnal electrln system. When a strlng magnetic field is applied along a directiln nlrmal tl the Si-SiO2 interface, the continuum of electron energy levels in two-dimensilnal mltiln clalesces intl a series lf perfectly quantized Landau levels [1], In such a system in an extreme-quantum-limit clnditiln, there exist gap regilns in the density of states of electrons between the boundaries of each Landau level.