SiC-MOSFET素子を用いた低電圧DC遮断 ー減衰振動性電流の生成による限流とその基礎検討ー
SiC-MOSFET素子を用いた低電圧DC遮断 ー減衰振動性電流の生成による限流とその基礎検討ー
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使用SiC-MOSFET元件的低压直流中断 - 通过产生阻尼振荡电流进行电流限制及其基础研究 -
DOI：
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发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
長谷川海渡，横水康伸，兒玉直人，渡邉幹太
中科院分区：
文献类型：
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作者：
櫻井大樹;大野友幹;芳賀仁;長谷川海渡，横水康伸，兒玉直人，渡邉幹太
