Electroluminescence property improvement by adjusting quantum wells' position relative to p-doped region in InGaN/GaN multiple-quantum-well light emitting diodes
Electroluminescence property improvement by adjusting quantum wells' position relative to p-doped region in InGaN/GaN multiple-quantum-well light emitting diodes
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通过调整InGaN/GaN多量子阱发光二极管中量子阱相对于p掺杂区的位置来改善电致发光性能
DOI：
10.1063/1.4978215
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
1.6
通讯作者：
Yang H.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Chen P.;Zhao D. G.;Jiang D. S.;Long H.;Li M.;Yang J.;Zhu J. J.;Liu Z. S.;Li X. J.;Liu W.;Li X.;Liang F.;Liu J. P.;Zhang B. S.;Yang H.
