Sticking-free bulk crystal growth of Mg_2Si by the vertical Bridgman method and thermoelectric properties
Sticking-free bulk crystal growth of Mg_2Si by the vertical Bridgman method and thermoelectric properties
复制标题
垂直布里奇曼法Mg_2Si无粘块晶体生长及热电性能
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J.Soga
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Akasaka;T. Iida;J. Soga;N. Kato;T. Sakuma;Y. Higuchi;Y. Takanashi;M. Akasaka;M. Fukano;T.Nemoto;T.Sakuma;S.Furuyama;J.Soga
