Electrotransport Properties of p-ZnSnAs2 Thin Films Grown by Molecular Beam Epitaxy on Semi-insulating (001) InP Substrates
Electrotransport Properties of p-ZnSnAs2 Thin Films Grown by Molecular Beam Epitaxy on Semi-insulating (001) InP Substrates
复制标题
半绝缘 (001) InP 衬底上分子束外延生长的 p-ZnSnAs2 薄膜的电传输性能
DOI：
--
复制
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
J.T. Asubar,
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
H. Itoh;S. Honda;J. Inoue;H. Yanagihara E. Kita;J.T. Asubar,
