G.Wang: "Passivatin of dislocations in GaAs grown on Si substrates oby phospine(PH_3) plasma exposure"Appl. Phys. Lett.. 78・22. 3363-3465 (2001)
G.Wang: "Passivatin of dislocations in GaAs grown on Si substrates oby phospine(PH_3) plasma exposure"Appl. Phys. Lett.. 78・22. 3363-3465 (2001)
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G.Wang：“通过磷化氢(PH_3)等离子体暴露在Si衬底上生长的GaAs中的位错”Appl. 78・22 (2001)
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