Improved internal quantum efficiencies of far-UVC AlGaN/AlN quantum wells by the use of semipolar r-planes
Improved internal quantum efficiencies of far-UVC AlGaN/AlN quantum wells by the use of semipolar r-planes
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通过使用半极性 r 平面提高远 UVC AlGaN/AlN 量子阱的内量子效率
DOI：
10.1063/5.0142138
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发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Y. Kawakami
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R. Akaike;M. Funato;and Y. Kawakami
