T.Shimmura: "Mitigation of accumulated electric charge by deposited fluorocarbon film during SiO_2 etching"J.Vac.Sci.Technol.A. 22. 433-436 (2004)
T.Shimmura: "Mitigation of accumulated electric charge by deposited fluorocarbon film during SiO_2 etching"J.Vac.Sci.Technol.A. 22. 433-436 (2004)
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T.Shimmura：“SiO_2 蚀刻过程中沉积的氟碳薄膜对累积电荷的缓解”J.Vac.Sci.Technol.A。
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