Schottky barrier height lowering at silicon carbide by carbon nanotubes
Schottky barrier height lowering at silicon carbide by carbon nanotubes
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通过碳纳米管降低碳化硅的肖特基势垒高度
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Kawarada
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Inaba;K. Suzuki;Y. Hirano;W. Norimatsu;M. Kusunoki;H. Kawarada
