Evaluation of Electron and Hole Mobility at Identical Metal-Oxide-Semiconductor Interfaces by using Metal Source/Drain Ge-On-Insulator Metal-Oxide- Semiconductor Field-Effect Transistors
Evaluation of Electron and Hole Mobility at Identical Metal-Oxide-Semiconductor Interfaces by using Metal Source/Drain Ge-On-Insulator Metal-Oxide- Semiconductor Field-Effect Transistors
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使用金属源/漏极绝缘体上金属氧化物半导体场效应晶体管评估相同金属氧化物半导体界面的电子和空穴迁移率
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S. Takagi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Morii;S. Dissanayake;S. Tanabe;R. Nakane;M. Takenaka;S. Sugahara;S. Takagi
