Charac- terization for High-Performance CMOS Using In-Water Advanced Kelvin -Contact Device Structure

Charac- terization for High-Performance CMOS Using In-Water Advanced Kelvin -Contact Device Structure
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使用水中先进开尔文接触器件结构对高性能 CMOS 进行表征

DOI:
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发表时间:
2009
期刊:
IEEE TRANSACTIONS ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURING Vol.22,No.1
影响因子:
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通讯作者:
T. Ohmi
T. Ohmi
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
R. Kuroda;A. Teramoto;T. Komori;S. Sugawa;T. Ohmi

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