TEOS を用いた低温CVD 法によるSiC MIS 特性に対するアニールの影響
TEOS を用いた低温CVD 法によるSiC MIS 特性に対するアニールの影響
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使用 TEOS 的低温 CVD 退火对 SiC MIS 特性的影响
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
上村喜一
中科院分区：
文献类型：
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作者：
狩野巧生;小松広基;小林悠太;赤羽桂幸;山上朋彦;上村喜一
