Atomic mobilities, diffusivities and simulation of diffusion growth in the Co-Si system
Atomic mobilities, diffusivities and simulation of diffusion growth in the Co-Si system
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Co-Si 系统中的原子迁移率、扩散率和扩散生长模拟
DOI：
10.1016/j.actamat.2008.04.017
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发表时间：
2008-09
期刊：
影响因子：
9.4
通讯作者：
Lu X. -G.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Xu H.;Liu Y.;Kong Y.;Du Y.;Ouyang Y.;Zhang L.;Wang J.;Lu X. -G.
原子迁移率的Co和Si在所有的固相的Co-Si系统，通过评估实验确定的扩散系数从本工作和文献的DICTRA（扩散控制转换）模拟包。通过第一性原理计算，确定扩散激活能，澄清了Co在Si中相互矛盾的杂质扩散系数。将“平均热力学因子”的概念推广到具有一定均匀度范围的二元化合物模型。基于原子迁移率，预测了化合物在较宽温度范围内的扩散生长。综合比较表明，所得到的参数能很好地再现大部分由扩散现象引起的实验数据。该方法具有普遍的有效性，适用于建立重要技术合金的流动性数据库。
Atomic mobilities of both Co and Si in all the solid phases of the Co–Si system were obtained through assessments of experimentally determined diffusion coefficients from the present work and the literature by the DICTRA (diffusion-controlled transformations) simulation package. The first-principles calculations were performed to clarify the contradictory impurity diffusion coefficients of Co in Si by determining the diffusion activation energy. The concept of “average thermodynamic factor” was extended to model binary compounds with certain homogeneity ranges. Based on the atomic mobilities obtained, the diffusion growths of the compounds in wide temperature ranges were predicted. Comprehensive comparisons show that most of the experimental data resulting from diffusion phenomena are well reproduced by the parameters obtained. The approach is of general validity and applicable to establish mobility databases of technically important alloys.
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DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.38-41.729
发表时间：
1991-01
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
--
作者：
J. Utzig;D. Gilles
通讯作者：
J. Utzig;D. Gilles
DOI：
10.1016/j.calphad.2006.06.001
发表时间：
2006-12
影响因子：
2.4
作者：
Lijun Zhang;Yong Du;Hong-hui Xu;Zhu Pan
通讯作者：
Lijun Zhang;Yong Du;Hong-hui Xu;Zhu Pan
影响因子：
8.6
作者：
F. Faupel;P. Hüppe;K. Rätzke
通讯作者：
F. Faupel;P. Hüppe;K. Rätzke
DOI：
10.1007/bf02647553
发表时间：
1992-07
期刊：
Metallurgical Transactions A
影响因子：
--
作者：
J. Morral;B. Dupen;Law Chu Chien
通讯作者：
J. Morral;B. Dupen;Law Chu Chien
影响因子：
--
作者：
C. Lee;Y. Iijima;K. Hirano
通讯作者：
C. Lee;Y. Iijima;K. Hirano