Maximum probing depth of low-energy photoelectrons in an amorphous organic semiconductor film
Maximum probing depth of low-energy photoelectrons in an amorphous organic semiconductor film
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非晶有机半导体薄膜中低能光电子的最大探测深度
DOI：
10.1016/j.elspec.2014.08.001
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发表时间：
2014
影响因子：
1.9
通讯作者：
H. Ishii
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Ozawa;Y. Nakayama;S. Machida;H. Kinjo;H. Ishii
