Coulomb blockade in quasimetallic silicon-on-insulator nanowires
Coulomb blockade in quasimetallic silicon-on-insulator nanowires
复制标题
准金属绝缘体上硅纳米线的库仑封锁
DOI：
10.1063/1.125435
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发表时间：
1999
影响因子：
4
通讯作者：
D. Wharam
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
A. Tilke;R. Blick;H. Lorenz;J. Kotthaus;D. Wharam
使用高掺杂的绝缘体上硅（SOI）薄膜，我们证明了金属库仑阻塞硅纳米线在温度高达近100 K。我们提出了一种工艺，由于热氧化过程中结构粗糙度和偏析效应的结合，导致导线内部形成岛状结构。因此，不需要SOI线的变窄来形成到单电子晶体管的隧穿接触。
Using highly doped silicon-on-insulator (SOI) films, we demonstrate metallic Coulomb blockade in silicon nanowires at temperatures up to almost 100 K. We propose a process that leads to island formation inside the wire due to a combination of structural roughness and segregation effects during thermal oxidation. Hence, no narrowing of the SOI wire is necessary to form tunneling contacts to the single-electron transistors.