GaInAsSbカバー層を有するInAs量子ドットの面発光型デバイス応用に向けた面内偏光特性の検討
GaInAsSbカバー層を有するInAs量子ドットの面発光型デバイス応用に向けた面内偏光特性の検討
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具有GaInAsSb覆盖层的InAs量子点面内偏振特性研究应用于表面发射器件
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
松浦哲也
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Goto-Azuma;K.;松浦哲也
