Electronic transport in graphitic nanostructures with structural defectsunder bias and gate voltages
Electronic transport in graphitic nanostructures with structural defectsunder bias and gate voltages
复制标题
偏压和栅极电压下具有结构缺陷的石墨纳米结构中的电子传输
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Watanabe
中科院分区：
文献类型：
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作者：
C.D.Lin;A.-T.Le;Z.Chen;T.Morishita;R.Lucchese;K. Watanabe
